Intel realizzerà chip custom 5G con processo 18A per Ericsson
di Manolo De Agostini pubblicata il 26 Luglio 2023, alle 08:01 nel canale Device
Intel si occuperà di produrre i futuri chip custom 5G di Ericsson con l'avanzato processo produttivo 18A, mentre Ericsson ottimizzerà le soluzioni Cloud RAN per piattaforme Xeon.
Intel ha annunciato una collaborazione strategica con Ericsson che la vedrà realizzare per conto della società svedese i futuri SoC custom dedicati a infrastrutture 5G servendosi del processo produttivo Intel 18A.
18A è il processo produttivo più avanzato nell'attuale roadmap di Intel, il culmine di un percorso che prevede la messa a punto di cinque processi nell'arco di quattro anni. Intel 18A innoverà ulteriormente rispetto al processo 20A, con il quale Intel introdurrà i nuovi transistor GAA - noti come RibbonFET - e un nuovo sistema di alimentazione dal retro chiamato PowerVia.
L'accordo con Ericsson è quindi importante per la divisione Intel Foundry Services, con la quale il colosso dei chip punta a diventare un produttore di semiconduttori per conto terzi in contrapposizione a TSMC e Samsung.
L'intesa con la società svedese prevede anche un'espansione dell'attuale collaborazione che ha l'obiettivo finale di ottimizzare i processori Xeon Scalable di 4a generazione con Intel vRAN Boost per le soluzioni Cloud RAN (radio access network) di Ericsson.
"Questo accordo esemplifica la nostra visione condivisa di innovare e trasformare la connettività di rete e rafforza la crescente fiducia dei clienti nella nostra tecnologia di processo e di produzione", ha affermato Sachin Katti, vicepresidente senior e direttore generale del gruppo Network and Edge di Intel. "Non vediamo l'ora di lavorare insieme a Ericsson per costruire reti aperte, affidabili e pronte per il futuro".
"Ericsson ha una lunga storia di stretta collaborazione con Intel e siamo lieti di espanderla ulteriormente avvalendoci di Intel per produrre i nostri futuri SoC 5G custom sul loro processo 18A, che è in linea con la strategia a lungo termine di Ericsson per una catena di fornitura maggiormente resiliente e sostenibile", ha dichiarato Fredrik Jejdling, vicepresidente esecutivo e responsabile delle reti di Ericsson. "Inoltre, amplieremo la nostra cooperazione annunciata al MWC 2023 per collaborare con l'ecosistema per accelerare la RAN aperta su scala industriale usando piattaforme standard basate su Intel Xeon".
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6 Commenti
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Ma intelligente, immagino comunque si siano premuniti di avere un piano B in caso di problemi 🤓copia e incolla da wikipedia: funzionerà?
[B][SIZE="17"][COLOR="Red"]Å[/COLOR][/SIZE][/B]
copia e incolla da wikipedia: funzionerà?
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Infatti la notizia è incompleta. Sono 18A a 1V? 10V? 100V?
Magari ci vorrà la trifase per alimentare quegli apparati
Magari ci vorrà la trifase per alimentare quegli apparati
beh dai suppongo sia Ultra ultra ultra low voltage. Non so a quanto arrivino i core voltage con tecnologie cosí spinte. in effetti non riesco a trovare info. ho letto tsmc che con 3 nm arriva a 0,75V ma mi sembrano tensioni alte. ho un 65nm ache se non erro ha intorno a 1.2 volt dicore voltage.
il punto è che tensioni così alte in transistor cosi piccoli portano il campo elettrico tra le armature del condensatore di gate a livelli molto alti. in ogni caso il consumo è proporzionale alla tensione di core, per cui scalando con la tecnologia si abbassa.
qualcuno ha idea un processo a 3 nm quanto arrivi a tensione di core?
il punto è che tensioni così alte in transistor cosi piccoli portano il campo elettrico tra le armature del condensatore di gate a livelli molto alti. in ogni caso il consumo è proporzionale alla tensione di core, per cui scalando con la tecnologia si abbassa.
qualcuno ha idea un processo a 3 nm quanto arrivi a tensione di core?
Lo so bene, la mia voleva essere una battuta riferita alle attuali CPU intel che sono dei forni creamatori da 600W di TDP.
Gli attuali incendi in sicilia non sono stati appiccati da piromani, ma sono stati causati da qualche rig intel che ha preso fuoco per il caldo torrido
il punto è che tensioni così alte in transistor cosi piccoli portano il campo elettrico tra le armature del condensatore di gate a livelli molto alti.
La tensione di soglia dei semiconduttori basati su silicio dopato varia da 0.6V a 0.8V.
Se si usa la logica CMOS non puoi scendere sotto la tensione di soglia, altrimenti non di riesce a commutare di stato.
Ci sono delle soluzioni che aggirano il problema con pompe di carica, ma per quel poco che ne so la cosa complica la progettazione ed aumenta l'area utilizzata sul chip.
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