Nuovi dettagli sulle cpu Intel Tulsa
di Paolo Corsini pubblicata il 08 Febbraio 2006, alle 15:14 nel canale Private CloudAl debutto nella seconda metà dell'anno le nuove architetture Xeon MP, dotate di una cache di terzo livello condivisa da ben 16 Mbytes
In occasione della International Solid State Circuits Conference, evento che si sta svolgendo in questi giorni a San Francisco, Intel ha reso pubblici alcuni dettagli della propria nuova piattaforma Dual Core per architetture Xeon MP.
Tulsa è il nome in codice di questo prodotto, alcune caratteristiche del quale sono già state presentate dal produttore americano in occasione di precedenti edizioni del proprio Developer Forum.
Queste cpu sono attese al debutto nel corso della seconda metà del 2006, e verranno identificate dalla sigla 7000. La principale caratteristica tecnica di questi processori è data dalla cache L3 integrata on die, in quantitativo di ben 16 Mbytes.
Tulsa integra ben 1.328 milioni di transistor, valore giustificato principalmente dalla dimensione della cache di terzo livello. In abbinamento a questa troviamo una cache di secondo livello da 1 Mbyte per ciascun core.
La superficie del Die, complice l'elevato quantitativo di memoria cache integrata nel Die, è pari a ben 435 millimetri quadrati. All'aumentare della superficie del Core, come noto, si ha un incremento dei costi di produzione e un numero inferiore di chip che possono essere costruiti a partire da un singolo wafer.
wafer con processori Intel Xeon MP basati su core Tulsa
La cpu avrà al debutto una frequenza di clock massima pari a 3,4 GHz, in abbinamento a voltaggio di alimentazione di 1.25V. La frequenza di bus sarà di 667 MHz oppure di 800 MHz a seconda delle versioni, ovviamente di tipo Quad Pumped, mentre per il TDP massimo si prevede una diminuzione a circa 150 watt per cpu fisica, contro i circa 165 watt delle cpu Xeon MP basate su core Paxville disponibili al momento attuale in commercio.
20 Commenti
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wow! una bella lampadina alogena.....1) vengono realizzati affettando letteralmente dei cilindri di silicio. La lavorazione di uncilindro permette di controllare in maniera migliore l'UNIFORMITA' della massa di silicio rispetto a un parallelepipedo
2) il processo di mascheratura nella lavarozazione dei semiconduttori prevede la stesura di una pellicola che allo stato originale è liquida. Ne viene quindi depositata qualche ml sul wafer e stesa mediante rotazione ad alta velocità dello stesso (come fosse un disco su un lettore per intenderci). La forma discoidale permette anche qui di controllare le forze centrifughe e quindi l'uniformità della pellicola che si ottiene dall'essicazione della soluzione deposta
3) l'incisione degli strati di ossido nella lavorazione dei semiconduttori prevede l'utilizzo di acidi corrosivi e lavaggio degli stessi alla fine del trattamento. Per rimuovere i residui di acidi nella prima fase e di soluzione neutra nella seconda fase viene sempre impiegata la rotazione ad alta velocità del wafer, anche in questa fase la forma discoidale permette un miglior controllo delle forze centrifughe e quindi il raggiungimento di più alte velocità e quindi una più efficiente pulizia della superficie del wafer.
Salut
diciamno che non ci sei nemmeno andato vicino
ma la spiegazione di MisterG è perfetta
Hai confuso alcune idee e ottenuto una deduzione sbagliata.
Le incisioni (per usare le tue parole) non vengono eseguite per via ottica ma per corrosione. L'ottica centra solo nella fase appena precedente alla fase di corrosione ovvero nella mascheratura. In pratica la pellicola che viene applicata come al punto due di quando ho detto sopra è fotosensibile, quindi è possibile mediante esposizione a fonte luminosa disegnarsci sopra il negativo delle geometrie che si vogliono ottenere sugli strati di ossido di accrescimento del silicio e che successivamente verrano preservate dall'attacco degli acidi.
Salut
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