Globalfoundries e ARM per i 28 nanometri

GlobalFoundries e ARM avevano annunciato, negli scorsi mesi, un importante accordo incentrato sulla produzione da parte della prima di architetture basate su IP ARM. Nella cornice del Mobile World Congress 2010 di Barcellona le due aziende hanno annunciato alcuni dettagli su questa partnership, incentrata sull'utilizzo di tecnologia produttiva a 28 nanometri per la costruzione di dispositivi wireless di futura generazione.

A partire dalla seconda metà del 2009 GlobalFoundries avvierà la produzione di wafer a 28 nanometri, utilizzando tecnologia HKMG (High-K Metal Gate), all'interno della propria Fab 1 di Dresda. La produzione prevederà due differenti tipologie di wafer bulk a 28 nanometri: la prima di tipo super low power, per prodotti che puntino tutto sul contenimento del consumo, e la seconda di tipo high power per dispositivi che puntino maggiormente sulle pure prestazioni velocistiche.

Il processo a 28 nanometri di tipo high power verrà presumibilmente utilizzato anche per la produzione delle future generazioni di GPU ATI, le prime che verranno costruite non da TSMC ma da GlobalFoundries. Un'alternativa per queste soluzioni potrebbe essere quella di utilizzare tecnologia a 32 nanometri di tipo SOI, scelta per le prime generazioni di CPU AMD dotate di GPU integrata attese al debutto nel corso del 2011.

Le due aziende hanno inoltre annunciato di aver perfezionato una soluzione SoC, System on a Chip, basata su chip Cortex-A9, costruita con processo a 28 nanometri HKMG. L'utilizzo di questa tecnologia permetterà di ottenere un incremento delle prestazioni quantificato da GlobalFoundries sino al 40%, con un miglioramento del 30% nell'efficienza energetica dei chip rispetto a equivalenti prodotti costruiti con processo a 40/45 nanometri. Combinando assieme questi elementi pare possibile ottenere un incremento del 100% nell'autonomia di funzionamento a batteria dei dispositivi, ovviamente a parità di potenza elaborativa, in standby.